自2025年步入第二季度以来，DRAM市场“涨声”不断，部分细分领域更是供应紧俏。“有的型号一个月近乎涨了50%！”国内某存储厂商高管透露。日前，又有媒体报道称三星于本月初将DDR4价格上调 20%，DDR5上调约 5%。

　　多位产业链受访人士在近日接受财联社记者时均表示，此轮市场波动主要源于AI带来HBM和服务器DRAM的增量需求后，三星、SK海力士等主流原厂的战略性产能调整。

　　“近期原厂相继发布了DDR4 EOL（生命周期结束）通知，考虑到服务器和PC等终端对D4产品仍有一定长尾需求，下游紧急建立DDR4库存，令近期DDR4产品出现供应紧俏的情况。”CFM闪存市场分析师杨伊婷向记者表示道。

　　在此情况下，存储原厂及囤货充足的模组厂均有望受益。更加值得注意的是，随着国际厂商的产能战略调整以及供应链环境的变化，国内存储厂商也迎来结构性机遇。

　　DRAM涨价潮起：AI“火热”与原厂“控盘”

　　2025年伊始，DRAM市场供应趋紧的态势已逐渐显现。

　　深圳某存储模组厂高管刘明在近期的市场交流中向财联社记者提供了一个生动的市场观察：“DRAM近期涨价很猛，尤其部分型号的DDR4，一个月涨幅接近50%了。你今天问我4块钱，觉得贵了观望一下，过几天可能就4块5了。”

　　她进一步解释，由于三星、海力士、美光三大原厂的产能向高性能存储倾斜，降低了利基型产品的库存水位，以DDR4、LPDDR4等产品为代表的利基型 DRAM 价格自3月底开始有所回升。

　　“预计2Q25 PC DRAM及Mobile DRAM合约价将分别上涨3%～8%及0%～5%。这主要包括品牌商为避免潜在政策调整带来的成本压力而积极调整生产，带动了DRAM采购需求；同时，三星及SK海力士正处于制程转换期，且产能优先保障生产Server DRAM及HBM，导致PC DRAM及mobile DRAM的位元产出受限。” TrendForce集邦咨询分析师许家源向财联社记者分析称。

　　现货市场对此反应更为迅速，据市场调查公司DRAMeXchange数据，用于个人电脑的通用DRAM DDR4 8Gb（千兆字节）产品的固定交易价格为1.65美元，在4月共上涨22.22%；用于存储卡和USB的128Gb MLC NAND闪存的固定交易价格为2.79美元，4月共上涨11.06%。

　　可以看出，此轮涨价潮的核心驱动力，指向AI对存储需求的革命性影响，Yole Group在其近期报告中预测，主要用于AI的HBM市场营收将从2024年的170亿美元增长到2030年的980亿美元，年复合增长率高达33%。

　　SK海力士方面预计，到2025年其HBM销售额将占其总内存销售额的50%以上，该公司与美光科技的HBM产能在2025年均已完全分配完毕；美光科技更是在其截至2025年2月27日的财年第二季度实现了超过10亿美元的HBM营收，其数据中心DRAM营收亦同比增长两倍。HBM凭借其高带宽、低延迟特性，成为AI服务器和高性能计算的标配，例如英伟达B200、H200系列GPU均需搭配HBM。

　　这种对HBM的旺盛需求，正显著挤压DRAM的整体产能，并推高其市场价值。在此背景下，产业链不同环节的受益程度呈现明显分化，许家源和杨伊婷均向财联社记者强调，DRAM原厂无疑是本轮涨价的最大受益者。

　　财报数据亦印证了这一点，SK海力士2025年第一季度实现营业利润7.44万亿韩元，营业利润率高达42%，据Counterpoint Research统计，其当季HBM市场份额更是高达70%，首次超越三星成为DRAM市场领导者。

　　美光科技2025财年第二季度Non-GAAP毛利率也达到了37.9%，HBM营收强劲。三星电子DS（设备解决方案）部门在2025年第一季度亦实现了1.1万亿韩元的营业利润。

　　相比之下，模组厂商则普遍面临较大经营压力，许家源指出，由于终端需求传导不畅，模组零售价涨幅往往难以完全覆盖颗粒采购成本的上涨，杨伊婷则认为，涨价后厂商能否盈利，很大程度上取决于其前期低价库存的消化情况以及成本控制能力。

　　财联社记者注意到，A股存储模组龙头佰维存储（688525.SH）在其2025年第一季度业绩报告中披露净亏损达1.97亿元，公司解释称主要原因包括存储芯片价格下滑（指部分非热门型号或早期采购成本较高产品）、存货减值准备增加以及AI终端产品模组实际交付量不及预期等；江波龙（301308.SZ）同期归属于上市公司股东的净利润亦亏损1.52亿元，其在财报中也提及下游客户消化库存导致公司毛利率下滑。

　　HBM“引擎”持续轰鸣传统需求与国产化添变数

　　展望2025年下半年及未来，存储市场机遇与不确定性并存。

　　许家源预计，在原厂位元产出持续受限的背景下，3Q25 DRAM合约价有望延续涨势，但他也提醒，若上游政策调整带来的成本压力显著传导至终端消费意愿，不排除DRAM价格涨幅弱于预期的可能。

　　杨伊婷则判断，今年存储整体供应情况相对比较健康，下半年出货旺季来临后，市场整体成交预计将更为活跃，但“外围局势动荡”及“需求端的实际变化”仍是影响后市的关键变量。

　　此外，HBM作为AI时代的关键部件，其需求预计将持续高热，TechInsights在其最新的市场预测中指出，受AI应用中HBM和QLC NAND需求的强力驱动，2025年全球整体存储芯片销售额有望增长20%，达到2031亿美元。

　　NAND Flash市场也逐步显现复苏迹象，TrendForce集邦咨询预测，在制造商持续减产、智能手机产业链库存逐步去化以及AI服务器对企业级SSD（eSSD）需求增长的共同作用下，NAND闪存和SSD价格在2025年第三季度预计将上涨10%～15%，第四季度或将进一步上涨8%～13%。

　　下游方面，传统消费电子领域，AI PC和AI智能手机被行业寄予厚望，被视为可能搅动存量市场并激发换机需求的新增长点。

　　刘明认为，今年AI PC的普及以及各类AI大模型在终端的渗透，将为存储带来新的需求增量。

　　如在今年热度较高的AI眼镜领域，已有不少国产存储厂商进展喜人。财联社记者从业内了解到，康盈半导体的ePOP嵌入式存储芯片目前已成功上机，成为AI眼镜轻量化设计的重要解决方案；佰维存储近期在业绩交流会上表示，预计2025年公司面向AI眼镜产品收入有望同比增长超500%。

　　不过，TrendForce集邦咨询最新数据显示，2025年笔记本电脑品牌的整体出货量增长预期已有所下调，AI概念能否迅速转化为大规模的终端消费需求，仍有待市场检验。

　　在此产业变革期，“国产化”为中国本土存储厂商带来了结构性的发展机遇，刘明就在与财联社记者的交流中对此持乐观态度：“2023年国产存储芯片在全球市场的占比不足7%，但到了2024年已提升至约12%，增速非常可观。我们预计今年国产占比还会继续提高。”

　　她进一步分析，国际大厂如美光、三星等逐步退出部分中低阶或特定类型产品的市场竞争，客观上为本土厂商提供了宝贵的市场空间和客户导入机会。

　　“同时，经过这几年的市场培育和贸易环境变化，客户对国产存储芯片的接受度和使用意愿已大幅提升。”刘明进一步表示。

　　国内另一存储芯片厂商高管也在近日接受财联社记者采访时表示，此前进入如汽车等高端产品线时验证期常常需要2-3年，现在时间大大缩短，“我们的新品还没发布就已经有厂商来谈合作了。”

　　兆易创新（603986.SH）在其2024年报中亦提及，随着国际大厂逐步淡出利基型DRAM市场，有望为深耕此领域的国内厂商带来市占率提升的契机。

　　值得注意的是，国产存储的崛起之路也并非坦途，本土企业在HBM、最先进DRAM制程等尖端技术领域与国际巨头相比仍存在较为明显的技术代差和专利壁垒。

　　此外，多数A股存储模组厂商目前业务重心仍在消费电子市场，业绩表现易受该市场周期性波动的显著影响，且面临激烈的价格竞争。供应链的自主可控能力，特别是上游关键设备、材料以及高端晶圆的稳定获取，仍是制约部分本土企业发展的关键瓶颈。

　　（文中采访对象刘明为化名）